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MCH3477-TL-H

MCH3477-TL-H

참조 용

부품 번호 MCH3477-TL-H
PNEDA 부품 번호 MCH3477-TL-H
설명 MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3
제조업체 ON Semiconductor
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예상 배송 12월 7 - 12월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MCH3477-TL-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCH3477-TL-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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MCH3477-TL-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs38mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.1nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds410pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SC-70FL/MCPH3
패키지 / 케이스3-SMD, Flat Leads

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

51nC @ 15V

Vgs (최대)

+15V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 1000V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

113.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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-

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

116nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2814pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

202W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

84A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3210pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

130A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

363nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15600pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

625W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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