MCH6662-TL-W
참조 용
| 부품 번호 | MCH6662-TL-W |
| PNEDA 부품 번호 | MCH6662-TL-W |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,138 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MCH6662-TL-W 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MCH6662-TL-W |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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MCH6662-TL-W 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 128pF @ 10V |
| 전력-최대 | 800mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | SC-88FL/MCPH6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 210mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 20pF @ 30V 전력-최대 320mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 13pF @ 5V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 EMT6 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 23A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7600pF @ 40V 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.6nC, 18.2nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 550pF, 1700pF @ 10V 전력-최대 1.4W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
