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MCM1216-TP

MCM1216-TP

참조 용

부품 번호 MCM1216-TP
PNEDA 부품 번호 MCM1216-TP
설명 MOSFET P-CH 12V 16A DFN202
제조업체 Micro Commercial Co
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재고 있음 141,666
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MCM1216-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCM1216-TP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
MCM1216-TP, MCM1216-TP 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 782.71 KB)
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MCM1216-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs21mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs100nC @ 8V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2700pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 18W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DFN2020-6J
패키지 / 케이스6-WDFN Exposed Pad

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제조업체

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GigaMOS™ HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

255nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

19000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

445W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DE475

패키지 / 케이스

DE475

FDB0250N807L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

240A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

8V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15400pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 214W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263-7

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

SIA461DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.4W (Ta), 17.9W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Single

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6

SI8475EDB-T1-E1

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta), 2.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

4-Microfoot

패키지 / 케이스

4-XFBGA, CSPBGA

NTMFS4C054NT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22.5A (Ta), 80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.54mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.59W (Ta), 33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN, 5 Leads

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ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

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MAX3387EEUG+

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ISL3152EIPZ

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IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8DIP

L7815CD2T-TR

L7815CD2T-TR

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IC REG LINEAR 15V 1.5A D2PAK

AD780ARZ-REEL7

AD780ARZ-REEL7

Analog Devices

IC VREF SERIES/SHUNT PROG 8SOIC

MMBT4403LT1G

MMBT4403LT1G

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.6A SOT23