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MCP1407-E/P

MCP1407-E/P

참조 용

부품 번호 MCP1407-E/P
PNEDA 부품 번호 MCP1407-E-P
설명 IC MOSFET DVR 6A 8DIP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 13,092
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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MCP1407-E/P 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCP1407-E/P
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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MCP1407-E/P 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)6A, 6A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)20ns, 20ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

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2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

5A, 5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7ns, 6ns

작동 온도

-40°C ~ 140°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SON (3x3)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MSOP-EP

2SB315A-2MBI800U4G-170

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제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

0V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

TC4452VMF713

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

13A, 13A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 32ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

12V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

6V, 9.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1200V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 17ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

14-DIP

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