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MCP14A1202T-E/MS

MCP14A1202T-E/MS

참조 용

부품 번호 MCP14A1202T-E/MS
PNEDA 부품 번호 MCP14A1202T-E-MS
설명 12.0A SINGLE NON-INV MOSFET DRIV
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 4,338
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MCP14A1202T-E/MS 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCP14A1202T-E/MS
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MCP14A1202T-E/MS, MCP14A1202T-E/MS 데이터 시트 (총 페이지: 30, 크기: 864.31 KB)
PDFMCP14A1201-E/MS 데이터 시트 표지
MCP14A1201-E/MS 데이터 시트 페이지 2 MCP14A1201-E/MS 데이터 시트 페이지 3 MCP14A1201-E/MS 데이터 시트 페이지 4 MCP14A1201-E/MS 데이터 시트 페이지 5 MCP14A1201-E/MS 데이터 시트 페이지 6 MCP14A1201-E/MS 데이터 시트 페이지 7 MCP14A1201-E/MS 데이터 시트 페이지 8 MCP14A1201-E/MS 데이터 시트 페이지 9 MCP14A1201-E/MS 데이터 시트 페이지 10 MCP14A1201-E/MS 데이터 시트 페이지 11

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  • MCP14A1202T-E/MS Distributor

MCP14A1202T-E/MS 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)12A, 12A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 25ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지8-MSOP

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제조업체

Microchip Technology

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구동 구성

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

2.75V ~ 30V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

14-DIP

MIC4129YME

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 13ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

L6498L

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

1.45V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2.5A

입력 유형

CMOS/TTL

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

500V

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SO

IR2102STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

210mA, 360mA

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

HIP2101IR4ZT

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

114V

상승 / 하강 시간 (일반)

10ns, 10ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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