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MG12150S-BN2MM

MG12150S-BN2MM

참조 용

부품 번호 MG12150S-BN2MM
PNEDA 부품 번호 MG12150S-BN2MM
설명 IGBT 1200V 200A 625W PKG S
제조업체 Littelfuse
단가 견적 요청
재고 있음 6,756
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MG12150S-BN2MM 리소스

브랜드 Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MG12150S-BN2MM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MG12150S-BN2MM, MG12150S-BN2MM 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 1,345.57 KB)
PDFMG12150S-BN2MM 데이터 시트 표지
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  • MG12150S-BN2MM Distributor

MG12150S-BN2MM 사양

제조업체Littelfuse Inc.
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)200A
전력-최대625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 150A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce10.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스S-3 Module
공급자 장치 패키지S3

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-

IGBT 유형

Trench Field Stop

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Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

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Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

820A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-EMF050J60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Level Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

88A

전력-최대

338W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.5nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

EMIPAK2

공급자 장치 패키지

EMIPAK2

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

225A

전력-최대

675W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1.8mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E3

공급자 장치 패키지

E3

FP35R12KT4B15BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전력-최대

210W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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