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MG12300D-BN2MM

MG12300D-BN2MM

참조 용

부품 번호 MG12300D-BN2MM
PNEDA 부품 번호 MG12300D-BN2MM
설명 IGBT MODULE PACKAGE D1200V 300A
제조업체 Littelfuse
단가 견적 요청
재고 있음 6,336
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MG12300D-BN2MM 리소스

브랜드 Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MG12300D-BN2MM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MG12300D-BN2MM, MG12300D-BN2MM 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 1,748.08 KB)
PDFMG12300D-BN2MM 데이터 시트 표지
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  • MG12300D-BN2MM Distributor

MG12300D-BN2MM 사양

제조업체Littelfuse Inc.
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)480A
전력-최대1450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce21nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D-3 Module
공급자 장치 패키지D3

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Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

570A

전력-최대

1600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

42.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 62 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 62

FF600R12ME4B72BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1200A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

347W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ISOTOP

공급자 장치 패키지

SOT-227

APTGT150A120T3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

833W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FS20R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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IGBT 유형

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구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전력-최대

135W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

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