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MG1275S-BA1MM

MG1275S-BA1MM

참조 용

부품 번호 MG1275S-BA1MM
PNEDA 부품 번호 MG1275S-BA1MM
설명 IGBT 1200V 105A 630W PKG S
제조업체 Littelfuse
단가 견적 요청
재고 있음 2,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MG1275S-BA1MM 리소스

브랜드 Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MG1275S-BA1MM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MG1275S-BA1MM, MG1275S-BA1MM 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 1,860.8 KB)
PDFMG1275S-BA1MM 데이터 시트 표지
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  • MG1275S-BA1MM Distributor

MG1275S-BA1MM 사양

제조업체Littelfuse Inc.
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)105A
전력-최대630W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 75A (Typ)
전류-수집기 차단 (최대)500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce5.52nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스S-3 Module
공급자 장치 패키지S3

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-

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 65°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB200TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

330A

전력-최대

1316W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

16.9nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

BSM200GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

230A

전력-최대

730W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

270W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

2.7mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.5nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E3

공급자 장치 패키지

E3

VS-GA100TS60SF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.28V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

16.25nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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