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MGB15N40CLT4

MGB15N40CLT4

참조 용

부품 번호 MGB15N40CLT4
PNEDA 부품 번호 MGB15N40CLT4
설명 IGBT 440V 15A 150W D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
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MGB15N40CLT4 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MGB15N40CLT4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
MGB15N40CLT4, MGB15N40CLT4 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 91.44 KB)
PDFMGB15N40CLT4 데이터 시트 표지
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MGB15N40CLT4 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)440V
전류-수집기 (Ic) (최대)15A
전류-수집기 펄스 (Icm)50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.9V @ 4V, 25A
전력-최대150W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/4µs
테스트 조건300V, 6.5A, 1kOhm
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

전력-최대

100W

에너지 전환

110µJ (on), 220µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

48nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/127ns

테스트 조건

400V, 6A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 42A

전력-최대

223W

에너지 전환

120µJ (on), 150µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

76nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/113ns

테스트 조건

200V, 21A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRG4PH50UPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 24A

전력-최대

200W

에너지 전환

530µJ (on), 1.41mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

160nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/200ns

테스트 조건

960V, 24A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

APT20GN60BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

전력-최대

136W

에너지 전환

230µJ (on), 580µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

9ns/140ns

테스트 조건

400V, 20A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

APT54GA60BD30

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

96A

전류-수집기 펄스 (Icm)

161A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

전력-최대

416W

에너지 전환

534µJ (on), 466µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

28nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/112ns

테스트 조건

400V, 32A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

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