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MGSF1N03LT3G

MGSF1N03LT3G

참조 용

부품 번호 MGSF1N03LT3G
PNEDA 부품 번호 MGSF1N03LT3G
설명 MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,920
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예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MGSF1N03LT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MGSF1N03LT3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
MGSF1N03LT3G, MGSF1N03LT3G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 127.14 KB)
PDFMGSF1N03LT3G 데이터 시트 표지
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MGSF1N03LT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds140pF @ 5V
FET 기능-
전력 손실 (최대)420mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540mOhm @ 600mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

패키지 / 케이스

4-DIP (0.300", 7.62mm)

IRL2203NSTRR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

116A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3290pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 180W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SI4829DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

LITTLE FOOT®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

215mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

210pF @ 10V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMP3056L-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

642pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.38W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NTD4860N-1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.4A (Ta), 65A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1308pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.28W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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