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MIO1200-33E11

MIO1200-33E11

참조 용

부품 번호 MIO1200-33E11
PNEDA 부품 번호 MIO1200-33E11
설명 IGBT MODULE SGL 1200A E11
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,568
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MIO1200-33E11 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MIO1200-33E11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MIO1200-33E11, MIO1200-33E11 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 166.02 KB)
PDFMIO1200-33E11 데이터 시트 표지
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MIO1200-33E11 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)3300V
전류-수집기 (Ic) (최대)1200A
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 1200A
전류-수집기 차단 (최대)120mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스E11
공급자 장치 패키지E11

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-

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NPT

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

240A

전력-최대

1200W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 120A

전류-수집기 차단 (최대)

25µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

FS200R12PT4BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

280A

전력-최대

1000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS75R12KT4B15BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

385W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GT100TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전력-최대

417W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.71nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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