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MJ11015G

MJ11015G

참조 용

부품 번호 MJ11015G
PNEDA 부품 번호 MJ11015G
설명 TRANS PNP DARL 120V 30A TO3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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MJ11015G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJ11015G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJ11015G, MJ11015G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 115.83 KB)
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MJ11015G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic4V @ 300mA, 30A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 20A, 5V
전력-최대200W
주파수-전환4MHz
작동 온도-55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지TO-204 (TO-3)

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800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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800mA

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

전력-최대

2W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

SMMBT3904LT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

300mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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제조업체

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 6V

전력-최대

200mW

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