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MJ11030G

MJ11030G

참조 용

부품 번호 MJ11030G
PNEDA 부품 번호 MJ11030G
설명 TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,726
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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MJ11030G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJ11030G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJ11030G, MJ11030G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 116.12 KB)
PDFMJ11030G 데이터 시트 표지
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MJ11030G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic3.5V @ 500mA, 50A
전류-수집기 차단 (최대)2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 25A, 5V
전력-최대300W
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-204AE
공급자 장치 패키지TO-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

20nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

125MHz

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

KSC2328AOTA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 30mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BUJ103AX,127

WeEn Semiconductors

제조업체

WeEn Semiconductors

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 600mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

12 @ 500mA, 5V

전력-최대

26W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

TO-220F

JANTXV2N2218A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/251

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

전력-최대

800mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39 (TO-205AD)

BD677A

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.8V @ 40mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 2A, 3V

전력-최대

40W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

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