MJD200T4G
참조 용
| 부품 번호 | MJD200T4G |
| PNEDA 부품 번호 | MJD200T4G |
| 설명 | TRANS NPN 25V 5A DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 20,574 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MJD200T4G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MJD200T4G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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MJD200T4G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 5A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 25V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
| 전력-최대 | 1.4W |
| 주파수-전환 | 65MHz |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | DPAK |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/357 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 10V 전력-최대 1W 주파수-전환 - 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-39 |
