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MJD31CRL

MJD31CRL

참조 용

부품 번호 MJD31CRL
PNEDA 부품 번호 MJD31CRL
설명 TRANS NPN 100V 3A DPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,484
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MJD31CRL 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJD31CRL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJD31CRL, MJD31CRL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 239 KB)
PDFMJD32CRL 데이터 시트 표지
MJD32CRL 데이터 시트 페이지 2 MJD32CRL 데이터 시트 페이지 3 MJD32CRL 데이터 시트 페이지 4 MJD32CRL 데이터 시트 페이지 5 MJD32CRL 데이터 시트 페이지 6 MJD32CRL 데이터 시트 페이지 7 MJD32CRL 데이터 시트 페이지 8 MJD32CRL 데이터 시트 페이지 9 MJD32CRL 데이터 시트 페이지 10 MJD32CRL 데이터 시트 페이지 11

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MJD31CRL 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대)50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce10 @ 3A, 4V
전력-최대1.56W
주파수-전환3MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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제조업체

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시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2SC5232BTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

500 @ 10mA, 2V

전력-최대

150mW

주파수-전환

130MHz

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SC-59

BDW42G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 50mA, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

전력-최대

85W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

TN3019A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-226-3

KSC2690AOSTSTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 200mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 300mA, 5V

전력-최대

1.2W

주파수-전환

155MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-126-3

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