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MJE18004G

MJE18004G

참조 용

부품 번호 MJE18004G
PNEDA 부품 번호 MJE18004G
설명 TRANS NPN 450V 5A TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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MJE18004G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJE18004G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJE18004G, MJE18004G 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 145.34 KB)
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MJE18004G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SWITCHMODE™
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)450V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic750mV @ 500mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce14 @ 300mA, 5V
전력-최대75W
주파수-전환13MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 150mA, 10V

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ON Semiconductor

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

8V @ 3.3A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

2MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

D-Pak

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

전력-최대

500mW

주파수-전환

75MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-SSOT

BDT60-S

Bourns

제조업체

Bourns Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 6mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

2N3904_D27ZS00Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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