MJE200G
참조 용
| 부품 번호 | MJE200G |
| PNEDA 부품 번호 | MJE200G |
| 설명 | TRANS NPN 40V 5A TO225AA |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,160 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MJE200G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MJE200G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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MJE200G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 5A |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 40V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100nA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
| 전력-최대 | 15W |
| 주파수-전환 | 65MHz |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-225AA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 ESBC™ 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 800V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 330mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 20 @ 400mA, 3V 전력-최대 110W 주파수-전환 5MHz 작동 온도 -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 D²PAK (TO-263) |
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