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MJE5852G

MJE5852G

참조 용

부품 번호 MJE5852G
PNEDA 부품 번호 MJE5852G
설명 TRANS PNP 400V 8A TO220AB
제조업체 ON Semiconductor
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MJE5852G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJE5852G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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MJE5852G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SWITCHMODE™
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic5V @ 3A, 8A
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce5 @ 5A, 5V
전력-최대80W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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ON Semiconductor

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NPN

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100mA

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45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

전력-최대

350mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Diodes Incorporated

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.25A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

350mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 500mA, 2V

전력-최대

500mW

주파수-전환

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작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

430mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

공급자 장치 패키지

DFN1006-3

PN3566_D75Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

PZT3904T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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