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MJH11019

MJH11019

참조 용

부품 번호 MJH11019
PNEDA 부품 번호 MJH11019
설명 TRANS PNP DARL 200V 15A TO218
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,556
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MJH11019 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MJH11019
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MJH11019, MJH11019 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 95.03 KB)
PDFMJH11019 데이터 시트 표지
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MJH11019 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce400 @ 10A, 5V
전력-최대150W
주파수-전환3MHz
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-218-3
공급자 장치 패키지SOT-93

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

전력-최대

500mW

주파수-전환

170MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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SOT-23-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

350V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N4250A

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100µA, 5V

전력-최대

200mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-106-3 Domed

공급자 장치 패키지

TO-106

2SA965-Y,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

전력-최대

900mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

LSTM

ZUMT720TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

750mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 100mA, 750mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 500mA, 2V

전력-최대

500mW

주파수-전환

220MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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