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MKE38P600LB-TUB

MKE38P600LB-TUB

참조 용

부품 번호 MKE38P600LB-TUB
PNEDA 부품 번호 MKE38P600LB-TUB
설명 MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
제조업체 IXYS
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재고 있음 5,490
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MKE38P600LB-TUB 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MKE38P600LB-TUB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
MKE38P600LB-TUB, MKE38P600LB-TUB 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 1,123.72 KB)
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MKE38P600LB-TUB 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지ISOPLUS-SMPD™.B
패키지 / 케이스9-SMD Module

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 410µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1544pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

28W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5500pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

10-PolarPAK® (S)

패키지 / 케이스

10-PolarPAK® (S)

NTR1P02T3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

165pF @ 5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRF3707ZSTRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1210pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

57W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

830W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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