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MKE38RK600DFEL-TRR

MKE38RK600DFEL-TRR

참조 용

부품 번호 MKE38RK600DFEL-TRR
PNEDA 부품 번호 MKE38RK600DFEL-TRR
설명 MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MKE38RK600DFEL-TRR 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MKE38RK600DFEL-TRR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
MKE38RK600DFEL-TRR, MKE38RK600DFEL-TRR 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 337.85 KB)
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MKE38RK600DFEL-TRR 사양

제조업체IXYS
시리즈CoolMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs190nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6800pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지ISOPLUS-SMPD™.B
패키지 / 케이스9-SMD Module

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

59V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

3V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 35V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.69W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

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Nexperia

제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1625pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK33

패키지 / 케이스

SOT-1210, 8-LFPAK33

FDB8896-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Ta), 93A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2525pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

80W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263AB

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHD9N60E-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

E

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

368mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

778pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

78W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 31A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

66nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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