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MKI50-12E7

MKI50-12E7

참조 용

부품 번호 MKI50-12E7
PNEDA 부품 번호 MKI50-12E7
설명 MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,644
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MKI50-12E7 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MKI50-12E7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
MKI50-12E7, MKI50-12E7 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 271.84 KB)
PDFMWI50-12E7 데이터 시트 표지
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MKI50-12E7 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)90A
전력-최대350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)800µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.8nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스E2
공급자 장치 패키지E2

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

625W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IRG5U100HF06A

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전력-최대

400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 34 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 34

MG1275W-XN2MM

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제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

105A

전력-최대

368W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

A2C35S12M3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter with Brake

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2154pF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

ACEPACK™ 2

VS-GB50TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

446W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.29nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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