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MLX83203KLW-DBA-000-RE

MLX83203KLW-DBA-000-RE

참조 용

부품 번호 MLX83203KLW-DBA-000-RE
PNEDA 부품 번호 MLX83203KLW-DBA-000-RE
설명 AUTOMOTIVE 3 PHASE DC PRE DRIVER
제조업체 Melexis Technologies NV
단가 견적 요청
재고 있음 7,848
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MLX83203KLW-DBA-000-RE 리소스

브랜드 Melexis Technologies NV
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MLX83203KLW-DBA-000-RE
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
MLX83203KLW-DBA-000-RE, MLX83203KLW-DBA-000-RE 데이터 시트 (총 페이지: 42, 크기: 2,063.94 KB)
PDFMLX83203KLW-DBA-000-RE 데이터 시트 표지
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  • MLX83203KLW-DBA-000-RE Distributor

MLX83203KLW-DBA-000-RE 사양

제조업체Melexis Technologies NV
시리즈Automotive, AEC-Q100
구동 구성Half-Bridge
채널 유형3-Phase
드라이버 수6
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 28V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 1.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.4A, 1.6A
입력 유형-
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)7ns, 7ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-VFQFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지32-QFN (5x5)

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

1.22V, 2.08V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

6A, 6A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

시리즈

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

7V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 1A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

30ns, 25ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.1V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

32ns, 26ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-SOIC-EP

SN75372DR

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.75V ~ 5.25V, 4.75V ~ 24V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

500mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

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작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6610IBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

4

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-, 4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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