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MMBD101LT1G

MMBD101LT1G

참조 용

부품 번호 MMBD101LT1G
PNEDA 부품 번호 MMBD101LT1G
설명 DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $22.4186
100 ---------- $21.3677
250 ---------- $20.3168
500 ---------- $19.2660
750 ---------- $18.3902
1,000 ---------- $17.5145
재고 있음 4,041
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MMBD101LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBD101LT1G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MMBD101LT1G, MMBD101LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 90.31 KB)
PDFMBD101G 데이터 시트 표지
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MMBD101LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky - Single
전압-피크 역방향 (최대)7V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F1pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)225mW
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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다이오드 유형

Schottky - Single

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15V

현재-최대

350mA

커패시턴스 @ Vr, F

6.7pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

650mOhm @ 100mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

350mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BA591,135

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.9pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

500mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

BAR 50-02L E6327

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.4pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

4.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

PG-TSLP-2

BAP50-03-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

200mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

HSMP-381E-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

3Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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