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MMBD352WT1G

MMBD352WT1G

참조 용

부품 번호 MMBD352WT1G
PNEDA 부품 번호 MMBD352WT1G
설명 RF DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC70
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,644
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBD352WT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBD352WT1G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MMBD352WT1G, MMBD352WT1G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 121.79 KB)
PDFNSVMMBD352WT1G 데이터 시트 표지
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MMBD352WT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대)7V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F1pF @ 0V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)200mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SC-70-3 (SOT323)

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다이오드 유형

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전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 30V, 1MHz

저항 @ If, F

900mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TA)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

1SV249-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.23pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

4.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

3-MCP

HSMS-8202-BLKG

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제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.26pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

14Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

75mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BAT1704WH6327XTSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

130mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.75pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 10kHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

MA4P506-131

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

500V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.7pF @ 100V, 1MHz

저항 @ If, F

300mOhm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

175°C (TJ)

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

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