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MMBD452LT1G

MMBD452LT1G

참조 용

부품 번호 MMBD452LT1G
PNEDA 부품 번호 MMBD452LT1G
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $33.4298
100 ---------- $31.8627
250 ---------- $30.2957
500 ---------- $28.7287
750 ---------- $27.4229
1,000 ---------- $26.1170
재고 있음 3,429
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MMBD452LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBD452LT1G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MMBD452LT1G, MMBD452LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 118.19 KB)
PDFMMBD452LT1G 데이터 시트 표지
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MMBD452LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky - 1 Pair Series Connection
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F1.5pF @ 15V, 1MHz
저항 @ If, F-
전력 손실 (최대)225mW
작동 온도-55°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

3Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

15V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

12Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-323

BA 892-02V E6327

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.1pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

PG-SC79-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

240mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

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