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MMBF4391LT1G

MMBF4391LT1G

참조 용

부품 번호 MMBF4391LT1G
PNEDA 부품 번호 MMBF4391LT1G
설명 JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.4489
500 ---------- $0.4279
1,000 ---------- $0.4068
2,500 ---------- $0.3858
5,000 ---------- $0.3682
10,000 ---------- $0.3507
재고 있음 90,188
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MMBF4391LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBF4391LT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
MMBF4391LT1G, MMBF4391LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 234.33 KB)
PDFSMMBF4391LT1G 데이터 시트 표지
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MMBF4391LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)50mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id4V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14pF @ 15V
저항-RDS (켜짐)30 Ohms
전력-최대225mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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Central Semiconductor Corp

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

30mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2N5460

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

750mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 135°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MMBFJ176

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

250 Ohms

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

MMBF4091

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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패키지 / 케이스

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