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MMBFJ212

MMBFJ212

참조 용

부품 번호 MMBFJ212
PNEDA 부품 번호 MMBFJ212
설명 JFET N-CH 25V 40MA SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,148
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBFJ212 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBFJ212
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMBFJ212, MMBFJ212 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 199.31 KB)
PDFMMBFJ210 데이터 시트 표지
MMBFJ210 데이터 시트 페이지 2 MMBFJ210 데이터 시트 페이지 3 MMBFJ210 데이터 시트 페이지 4 MMBFJ210 데이터 시트 페이지 5 MMBFJ210 데이터 시트 페이지 6

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MMBFJ212 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel JFET
주파수-
이득-
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)40mA
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력-
전압-정격25V
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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7.5V

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-

현재-테스트

40mA

전원-출력

32.2dB

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

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BLA1011-10,112

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

15dB

전압-테스트

36V

전류 정격 (Amps)

2.2A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

10W

전압-정격

75V

패키지 / 케이스

SOT467C

공급자 장치 패키지

SOT467C

PD55035S-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

16.9dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

35W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

21.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

90mA

전원-출력

1.26W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PLD-1.5W

공급자 장치 패키지

PLD-1.5W

PTFB091802FC-V1-R250

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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