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MMBFJ310LT1G

MMBFJ310LT1G

참조 용

부품 번호 MMBFJ310LT1G
PNEDA 부품 번호 MMBFJ310LT1G
설명 RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 348,810
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBFJ310LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBFJ310LT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMBFJ310LT1G, MMBFJ310LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 179.84 KB)
PDFMMBFJ310LT1 데이터 시트 표지
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MMBFJ310LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel JFET
주파수-
이득12dB
전압-테스트10V
전류 정격 (Amps)60mA
소음 수치-
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격25V
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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17dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

200mA

전원-출력

26.5dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-LPCC (2x2)

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.8GHz ~ 1.88GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

65W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

SD2931

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

175MHz

이득

15dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

150W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

M244

공급자 장치 패키지

M244

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

20.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

35W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

960MHz

이득

19.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.4A

전원-출력

100W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

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