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MMBFU310LT1G

MMBFU310LT1G

참조 용

부품 번호 MMBFU310LT1G
PNEDA 부품 번호 MMBFU310LT1G
설명 JFET N-CH 25V 0.225W SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.3716
500 ---------- $0.3542
1,000 ---------- $0.3367
2,500 ---------- $0.3193
5,000 ---------- $0.3048
10,000 ---------- $0.2903
재고 있음 8,303
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MMBFU310LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBFU310LT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
MMBFU310LT1G, MMBFU310LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 166.58 KB)
PDFMMBFU310LT1 데이터 시트 표지
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MMBFU310LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)25V
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)24mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id2.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대225mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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ON Semiconductor

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

0.7pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-101, SOT-883

공급자 장치 패키지

SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

NSVJ3910SB3T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

400mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-CPH

TIS75

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 4nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BSV79

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

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FET 유형

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전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

40 Ohms

전력-최대

350mW

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