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MMBT2907-D87Z

MMBT2907-D87Z

참조 용

부품 번호 MMBT2907-D87Z
PNEDA 부품 번호 MMBT2907-D87Z
설명 TRANS PNP 40V 0.8A SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,722
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBT2907-D87Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBT2907-D87Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MMBT2907-D87Z, MMBT2907-D87Z 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 438 KB)
PDFMMBT2907-D87Z 데이터 시트 표지
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MMBT2907-D87Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
전력-최대350mW
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

160V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

전력-최대

250mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB

2SCR502UBTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

200nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

200mW

주파수-전환

360MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-85

공급자 장치 패키지

UMT3F

S9015-D-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

400 @ 1mA, 5V

전력-최대

450mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92

BC635_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

KSB1015YTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

전력-최대

25W

주파수-전환

9MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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