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MMBT2907AM3T5G

MMBT2907AM3T5G

참조 용

부품 번호 MMBT2907AM3T5G
PNEDA 부품 번호 MMBT2907AM3T5G
설명 TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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MMBT2907AM3T5G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBT2907AM3T5G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
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MMBT2907AM3T5G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
전력-최대265mW
주파수-전환200MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-723
공급자 장치 패키지SOT-723

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150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 50mA, 2V

전력-최대

800mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 2.5A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V

전력-최대

150W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AA, TO-3

공급자 장치 패키지

TO-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

전력-최대

1W

주파수-전환

15MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-226-3

BC546ATA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

전력-최대

500mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N5210NMBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100µA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

30MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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