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MMBT4355

MMBT4355

참조 용

부품 번호 MMBT4355
PNEDA 부품 번호 MMBT4355
설명 TRANS PNP 60V 0.8A SOT-23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,344
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBT4355 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBT4355
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MMBT4355, MMBT4355 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 463.63 KB)
PDFPN4355 데이터 시트 표지
PN4355 데이터 시트 페이지 2 PN4355 데이터 시트 페이지 3 PN4355 데이터 시트 페이지 4 PN4355 데이터 시트 페이지 5 PN4355 데이터 시트 페이지 6 PN4355 데이터 시트 페이지 7 PN4355 데이터 시트 페이지 8 PN4355 데이터 시트 페이지 9 PN4355 데이터 시트 페이지 10

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MMBT4355 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 10V
전력-최대350mW
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

145MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 10V

전력-최대

750mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

TO-210AA, TO-59-4, Stud

공급자 장치 패키지

TO-59

DXT458P5-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 6mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

전력-최대

2.8W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerDI™ 5

공급자 장치 패키지

PowerDI™ 5

ZXT11N20DFTC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

130mV @ 250mA, 2.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 100mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

160MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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