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MMBTA42_D87Z

MMBTA42_D87Z

참조 용

부품 번호 MMBTA42_D87Z
PNEDA 부품 번호 MMBTA42_D87Z
설명 TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBTA42_D87Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBTA42_D87Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MMBTA42_D87Z, MMBTA42_D87Z 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 881.91 KB)
PDFMPSA42_J22Z 데이터 시트 표지
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MMBTA42_D87Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce40 @ 30mA, 10V
전력-최대240mW
주파수-전환50MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

700mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

전력-최대

800mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SA933AS-Q-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 2V

전력-최대

200mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92S

BC857ALT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

2N5087_S00Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 100µA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

40MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

SBC817-25LT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz

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