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MMBTA55LT1

MMBTA55LT1

참조 용

부품 번호 MMBTA55LT1
PNEDA 부품 번호 MMBTA55LT1
설명 TRANS PNP 60V 0.5A SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,084
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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MMBTA55LT1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBTA55LT1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MMBTA55LT1, MMBTA55LT1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 136.03 KB)
PDFMMBTA55LT1 데이터 시트 표지
MMBTA55LT1 데이터 시트 페이지 2 MMBTA55LT1 데이터 시트 페이지 3 MMBTA55LT1 데이터 시트 페이지 4 MMBTA55LT1 데이터 시트 페이지 5 MMBTA55LT1 데이터 시트 페이지 6

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  • MMBTA55LT1 Distributor

MMBTA55LT1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
전력-최대225mW
주파수-전환50MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

225mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

CJD112 TR13

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A

전류-수집기 차단 (최대)

20µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V

전력-최대

1.75W

주파수-전환

25MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

MPSA10_D74Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 5µA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

125MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

JANTX2N2222AUA

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/255

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD

공급자 장치 패키지

4-SMD

2N5550TA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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