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MMBTA56LT1G-HFE

MMBTA56LT1G-HFE

참조 용

부품 번호 MMBTA56LT1G-HFE
PNEDA 부품 번호 MMBTA56LT1G-HFE
설명 TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,628
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 12 - 2월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBTA56LT1G-HFE 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBTA56LT1G-HFE
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MMBTA56LT1G-HFE, MMBTA56LT1G-HFE 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 136.03 KB)
PDFMMBTA55LT1 데이터 시트 표지
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MMBTA56LT1G-HFE 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 100mA, 1V
전력-최대225mW
주파수-전환50MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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제조업체

ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

200V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 1mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

TIP29C

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

300µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 4V

전력-최대

30W

주파수-전환

3MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

KSH210TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.8V @ 1A, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

45 @ 2A, 1V

전력-최대

1.4W

주파수-전환

65MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

FMB100

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 5V

전력-최대

700mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

BDV64B-S

Bourns

제조업체

Bourns Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 20mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

전력-최대

3.5W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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