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MMBTH10-7

MMBTH10-7

참조 용

부품 번호 MMBTH10-7
PNEDA 부품 번호 MMBTH10-7
설명 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 6,984
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBTH10-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBTH10-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
MMBTH10-7, MMBTH10-7 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 551.32 KB)
PDFMMBTH10-7 데이터 시트 표지
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MMBTH10-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)25V
주파수-전환650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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이득

13.5dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

85 @ 5mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

3-SuperMiniMold (30 PKG)

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

이득

9dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

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시리즈

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트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

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패키지 / 케이스

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

1.025GHz ~ 1.15GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

6.3dB

전력-최대

875W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

22A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M103

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M103

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Infineon Technologies

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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42GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

이득

27dB

전력-최대

160mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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