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MMBTH10LT1

MMBTH10LT1

참조 용

부품 번호 MMBTH10LT1
PNEDA 부품 번호 MMBTH10LT1
설명 RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.0361
500 ---------- $0.0344
1,000 ---------- $0.0327
2,500 ---------- $0.0310
5,000 ---------- $0.0296
10,000 ---------- $0.0282
재고 있음 40,398
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBTH10LT1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBTH10LT1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
MMBTH10LT1, MMBTH10LT1 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 91.3 KB)
PDFMMBTH10-4LT1 데이터 시트 표지
MMBTH10-4LT1 데이터 시트 페이지 2 MMBTH10-4LT1 데이터 시트 페이지 3 MMBTH10-4LT1 데이터 시트 페이지 4 MMBTH10-4LT1 데이터 시트 페이지 5

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  • MMBTH10LT1 Distributor

MMBTH10LT1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)25V
주파수-전환650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대225mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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6.5GHz

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1.1dB @ 1GHz

이득

12dB

전력-최대

1.2W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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CEL

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

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노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

이득

12dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143

48042

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BFP650FH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4.5V

주파수-전환

42GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

이득

11dB ~ 21.5dB

전력-최대

500mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 80mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

4-TSFP

MMBTH10-4LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

800MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

225mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 4mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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