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MMBV3700LT1G

MMBV3700LT1G

참조 용

부품 번호 MMBV3700LT1G
PNEDA 부품 번호 MMBV3700LT1G
설명 RF DIODE PIN 200V 200MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.0827
500 ---------- $0.0788
1,000 ---------- $0.0749
2,500 ---------- $0.0711
5,000 ---------- $0.0678
10,000 ---------- $0.0646
재고 있음 54,644
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MMBV3700LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBV3700LT1G
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
MMBV3700LT1G, MMBV3700LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 115.53 KB)
PDFMMBV3700LT1G 데이터 시트 표지
MMBV3700LT1G 데이터 시트 페이지 2 MMBV3700LT1G 데이터 시트 페이지 3

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  • MMBV3700LT1G Distributor

MMBV3700LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)200V
현재-최대-
커패시턴스 @ Vr, F1pF @ 20V, 1MHz
저항 @ If, F1Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)200mW
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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다이오드 유형

PIN - 1 Pair Common Anode

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 20V, 1MHz

저항 @ If, F

1.35Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

240mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323-3

BA891,115

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.9pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

500mOhm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

715mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

BA782-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.25pF @ 3V, 1MHz

저항 @ If, F

700mOhm @ 3mA, 1GHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

125°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-123

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SOD-123

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

30V

현재-최대

50mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.4pF @ 1V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

CST2

BA983-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard - Single

전압-피크 역방향 (최대)

35V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 3V, 100MHz

저항 @ If, F

1.2Ohm @ 3mA, 200MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

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