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MMBZ5226BLT1G

MMBZ5226BLT1G

참조 용

부품 번호 MMBZ5226BLT1G
PNEDA 부품 번호 MMBZ5226BLT1G
설명 DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 575,820
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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MMBZ5226BLT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBZ5226BLT1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
MMBZ5226BLT1G, MMBZ5226BLT1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 201.44 KB)
PDFMMBZ5264BLT1G 데이터 시트 표지
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MMBZ5226BLT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3.3V
공차±5%
전력-최대225mW
임피던스 (최대) (Zzt)28 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

BZX384B62-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

215 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 43.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-323

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±5%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 32.65V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZG03C150

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

150V

공차

±6%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

300 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 110V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

SMA

NZH6V2B,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-123F

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