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MMBZ5227ELT1

MMBZ5227ELT1

참조 용

부품 번호 MMBZ5227ELT1
PNEDA 부품 번호 MMBZ5227ELT1
설명 DIODE ZENER 3.6V 225MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBZ5227ELT1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBZ5227ELT1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
MMBZ5227ELT1, MMBZ5227ELT1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 161.67 KB)
PDFMMBZ5257ELT1G 데이터 시트 표지
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MMBZ5227ELT1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)3.6V
공차-
전력-최대225mW
임피던스 (최대) (Zzt)24 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr15µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-제너 (Nom) (Vz)

75V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

175 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

BZT52C51S-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±6%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 38V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

1N5228BTR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±5%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

70nA @ 19V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SMT3; MPAK

1N5913C

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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