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MMBZ5235ELT1G

MMBZ5235ELT1G

참조 용

부품 번호 MMBZ5235ELT1G
PNEDA 부품 번호 MMBZ5235ELT1G
설명 DIODE ZENER 6.8V 225MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,768
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBZ5235ELT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBZ5235ELT1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
MMBZ5235ELT1G, MMBZ5235ELT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 161.67 KB)
PDFMMBZ5257ELT1G 데이터 시트 표지
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MMBZ5235ELT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.8V
공차±5%
전력-최대225mW
임피던스 (최대) (Zzt)5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 5V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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8.7V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 6.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

8.7V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 6.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

83 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

75µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

0503 (1308 Metric)

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

55 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 15.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-923

공급자 장치 패키지

SOD-923

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

-

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

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공급자 장치 패키지

SOD-323

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