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MMBZ5237ELT1G

MMBZ5237ELT1G

참조 용

부품 번호 MMBZ5237ELT1G
PNEDA 부품 번호 MMBZ5237ELT1G
설명 DIODE ZENER 8.2V 225MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $6.5551
100 ---------- $6.2479
250 ---------- $5.9406
500 ---------- $5.6333
750 ---------- $5.3773
1,000 ---------- $5.1212
재고 있음 7,774
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MMBZ5237ELT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBZ5237ELT1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
MMBZ5237ELT1G, MMBZ5237ELT1G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 161.67 KB)
PDFMMBZ5257ELT1G 데이터 시트 표지
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MMBZ5237ELT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)8.2V
공차±5%
전력-최대225mW
임피던스 (최대) (Zzt)8 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 6.5V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

17 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공차

±6%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

55 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 15.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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Central Semiconductor Corp

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공차

±5%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.55 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.2V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.3 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

JANTXV1N4109-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 11.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

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