MMBZ5257ELT1G
참조 용
| 부품 번호 | MMBZ5257ELT1G |
| PNEDA 부품 번호 | MMBZ5257ELT1G |
| 설명 | DIODE ZENER 33V 225MW SOT23-3 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,454 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MMBZ5257ELT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MMBZ5257ELT1G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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MMBZ5257ELT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 33V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 225mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 58 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100nA @ 25V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 900mV @ 10mA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/437 전압-제너 (Nom) (Vz) 8.2V 공차 ±2% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 40 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 7.5V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AA (Glass) 공급자 장치 패키지 DO-213AA |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/406 전압-제너 (Nom) (Vz) 30V 공차 ±1% 전력-최대 1.5W 임피던스 (최대) (Zzt) 20 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 50nA @ 24V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-41 |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 4.3V 공차 ±2% 전력-최대 200mW 임피던스 (최대) (Zzt) 90 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2.7µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-90, SOD-323F 공급자 장치 패키지 SOD-323F |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 17V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr 50nA @ 12.9V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
