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MMDF3N04HDR2G

MMDF3N04HDR2G

참조 용

부품 번호 MMDF3N04HDR2G
PNEDA 부품 번호 MMDF3N04HDR2G
설명 MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
제조업체 ON Semiconductor
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MMDF3N04HDR2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMDF3N04HDR2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
MMDF3N04HDR2G, MMDF3N04HDR2G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 134.22 KB)
PDFMMDF3N04HDR2G 데이터 시트 표지
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MMDF3N04HDR2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs80mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs28nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds900pF @ 32V
전력-최대1.39W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A, 8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 10V

전력-최대

2.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

2N7334

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

MO-036AB

SI4923DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CSD87503Q3E

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1020pF @ 15V

전력-최대

15.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-VSON (3.3x3.3)

APTMC120TAM33CTPAG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

78A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 60A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 3mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

148nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2850pF @ 1000V

전력-최대

370W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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