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MMRF1006HSR5

MMRF1006HSR5

참조 용

부품 번호 MMRF1006HSR5
PNEDA 부품 번호 MMRF1006HSR5
설명 FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,516
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1006HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1006HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1006HSR5, MMRF1006HSR5 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 748.89 KB)
PDFMMRF1006HR5 데이터 시트 표지
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MMRF1006HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수450MHz
이득20dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력1000W
전압-정격120V
패키지 / 케이스NI-1230S-4
공급자 장치 패키지NI-1230S-4

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

920MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

860mA

전원-출력

100W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

OM-780G-4L

공급자 장치 패키지

OM-780G-4L

J304_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

3.4A

전원-출력

95W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1242C

공급자 장치 패키지

CDFM8

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.4GHz

이득

18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

330W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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