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MMRF1012NR1

MMRF1012NR1

참조 용

부품 번호 MMRF1012NR1
PNEDA 부품 번호 MMRF1012NR1
설명 FET RF 120V 220MHZ
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,966
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1012NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1012NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1012NR1, MMRF1012NR1 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 1,474.19 KB)
PDFMMRF1012NR1 데이터 시트 표지
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MMRF1012NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수220MHz
이득23.9dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트30mA
전원-출력10W
전압-정격120V
패키지 / 케이스TO-270-2
공급자 장치 패키지TO-270-2

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전압-테스트

28V

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소음 수치

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전원-출력

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Cree/Wolfspeed

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주파수

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이득

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전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36248-2

공급자 장치 패키지

H-36248-2

PTFA212001EV4R250XTMA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36260-2

PXAC261202FCV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.61GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

230mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

H-37248-4

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