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MMRF1015NR1

MMRF1015NR1

참조 용

부품 번호 MMRF1015NR1
PNEDA 부품 번호 MMRF1015NR1
설명 FET RF 68V 960MHZ TO270
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,608
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1015NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1015NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1015NR1, MMRF1015NR1 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 738.14 KB)
PDFMMRF1015GNR1 데이터 시트 표지
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MMRF1015NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수960MHz
이득18dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트125mA
전원-출력10W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-270-2
공급자 장치 패키지TO-270-2

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LDMOS

주파수

500MHz ~ 1.4GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

34W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

72W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

3.1GHz ~ 3.5GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

2.1A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

20W

전압-정격

60V

패키지 / 케이스

SOT-608B

공급자 장치 패키지

CDFM2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.35A

전원-출력

44W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

BLC9H10XS-300PZ

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

600MHz ~ 960MHz

이득

21dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

300W

전압-정격

108V

패키지 / 케이스

SOT1273-1

공급자 장치 패키지

SOT1273-1

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