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MMRF1018NBR1

MMRF1018NBR1

참조 용

부품 번호 MMRF1018NBR1
PNEDA 부품 번호 MMRF1018NBR1
설명 FET RF 120V 860MHZ
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,058
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1018NBR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1018NBR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1018NBR1, MMRF1018NBR1 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 799.16 KB)
PDFMMRF1018NBR1 데이터 시트 표지
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MMRF1018NBR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수860MHz
이득22dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트350mA
전원-출력18W
전압-정격120V
패키지 / 케이스TO-272-4
공급자 장치 패키지TO-272-4

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18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

30W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT-1223-2

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PTFA080551EV4T500XWSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1.8GHz ~ 2.2GHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

32W

전압-정격

48V

패키지 / 케이스

NI-400S-2S

공급자 장치 패키지

NI-400S-2S

PTFA191001EV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

17dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

44dBm

전압-정격

65V

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공급자 장치 패키지

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