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MMRF1021NT1

MMRF1021NT1

참조 용

부품 번호 MMRF1021NT1
PNEDA 부품 번호 MMRF1021NT1
설명 FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,048
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1021NT1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1021NT1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1021NT1, MMRF1021NT1 데이터 시트 (총 페이지: 28, 크기: 1,034.47 KB)
PDFMMRF1021NT1 데이터 시트 표지
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MMRF1021NT1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수870MHz
이득15.2dB
전압-테스트7.5V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력7.3W
전압-정격30V
패키지 / 케이스PLD-1.5W
공급자 장치 패키지PLD-1.5W

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS

주파수

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이득

13dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400

공급자 장치 패키지

NI-400

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

35W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

13dB

전압-테스트

36V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

200W

전압-정격

75V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

20W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-270AB

공급자 장치 패키지

TO-270 WB-4

150-102N02A-00

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

DE

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

2A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

200W

전압-정격

1000V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DE150

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